Ilmoitustyyppi: Ilmoitus tehdystä sopimuksesta

Diese Beschaffung betrifft die
•Mechanische, thermische und elektrische Verbindung von extern produzierten Anwender-spezifischen integrierten Schaltkreisen (ASICs) mit den hoch-spezialisierten intern
entwickelten und gefertigten Strahlungssensoren
•Heterogene Integration von photonischen und elektrischen Baugruppen
•Verbindung von vorproduzierten thermo-mechanischen Baugruppen mit aktiven Sensoren und ASICs, um ein effizientes material- und platzsparendes thermisches
Management bei Detektorsystem zu erreichen. Die dazu notwendige Technologie ist das sogenannte „Wafer bonding“: die Verbindung von zwei Wafern mit polierten
Oberflächen entweder direkt oder über andere funktionale Lagen wie SiO2, Metallen oder Polymeren. Die dabeiverwendeten Wafer sind entweder
•unprozessiert
•haben geätzte oder andersartig strukturierte Oberflächen
•vorprozessiert mit mehreren Metalllagen
•rekonstituierte Substrate mit einzelnen chips, die vorher mittels geeigneter Methoden aufgebracht wurden.
Allgemeine Spezifikation der Wafer, bzw. Substrate:
•Durchmesser 150mm und 200 mm, Dicke ca. 100 µm bis 1000 µm
Der Prozess des Wafer-Bondens soll manuell ablaufen. Die Waferpaare werden manuell in die verschiedenen Teilprozesse geladen.
Die wichtigsten drei Prozesse mit den Spezifikationen werden weiter unten aufgelistet.
1.Cavity SOI
Bei dieser Anwendung werden zwei Wafer direkt gebondet. Das Ziel ist eine Struktur mit integrierten Mikro-Kühlkanälen
Wafer a:
Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke 100 µm - 1000 µm,
CMOS mit Multi-metal oder active pixel sensor, Bondseite Si poliert
Wafer b:
Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke 500 µm - 1000 µm,
Thermisches Oxid beidseitig, Bondseite vorprozessiert mit etwa
300 µm tiefen und 300 µm weiten Kanälen, aktive Bondfläche
etwa 75% des Wafers
Bond: Bonden in Vakuum bei etwa 100 mbar, Justage über Waferrand, Genauigkeit von +/-100 µm, abhängig von Wafertoleranzen, Bond bei RT, Annealing nach Bond bei T<300 °C, batch annealing Dauer max. 2h, Oberflächenenergie nach Annealing >2 J/cm2, Bond yield >95% bei Randaussschluß von 5mm
2.Unterstützung für dünne Wafer
Bei dieser Anwendung werden zwei Wafer über eine zuvor aufgebrachte Polymerlage verbunden. Dabei dient ein dickerer Wafer als Unterstützung eines dünneren Wafers.
Wafer a:
Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke ca. 100 µm, CMOS mit Multi-metal oder active pixel sensor, Bondseite Si poliert
Wafer b:
Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke 500 µm - 1000 µm,Die Bondseite wurde zuvor mit einem geeigneten Polymer als Klebelage beschichtet
Bond:
Justage über Waferrand, Genauigkeit von +/-100 µm, abhängig von Wafertoleranzen, Bond bei RT und minimalem Druck, Annealing nach Bond bei T<300 °C (abhängig von verwendetem Polymer), batch annealing (Dauer abhängig von dem verwendeten Polymer), Oberflächenenergie nach Annealing abhängig von Polymerlage, Bond yield >95% bei Randaussschluß von 5mm
3.Hybrides Bonden
Hierbei werden zwei Wafer gebondet, die nach der Verbindung sowohl eine mechanische als auch eine elektrische Verbindung durch geeignete eingelagerte Kupferpads haben.
Wafer a:
Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke ca. 300 µm bis 1000 µm, Bondseite hat vorbehandelte aktive pixel sensoren mit definierten Flächen für die mechanische und elektrische
Verbindung
Wafer b:
Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke 300 µm - 1000 µm, Zwei Varianten ?Ganzer CMOS Wafer mit ASICs und dem layout des Wafer a entsprechenden Bondflächen, Trägerwafer auf dem einzelne ASICs face-up aufgebracht wurden, um dann kollektiv mit Wafer a verbunden zu werden
Bond:
Justagegenauigkeit Wafer zu Wafer von mindestens 1 µm, Bond bei RT, Annealing nach Bond bei T<=300 °C, batch annealing Dauer max. 2 h, Oberflächenenergie nach Annealing >2 J/cm2, Bond yield >95% bei Randaussschluß von 5mm
Systemanforderungen: Semiautomatisches Bond-System mit manueller Beladung SEMI S2/S8 Zertifikat; Bondkammer ?Einfaches und vollständiges Öffnen ohne zusätzliche Werkzeuge Schneller Wechsel zwischen Wafergrößen 150mm und 200 mm (~10 min) Wechsel zwischen Wafergrößen und zwischen den Prozessen
ohne Sonderwerkzeug Vakuum System bis 0,1 mbar,Bondkraft regelbar bis 20 kN,
Heizung: Aufheizrampe bis zu 30°C/Min, Maximale Temperatur bis zu 450°C, Heizer Temperatur Gleichmäßigkeit <+/-1,2%, Heizer Temperatur Wiederholbarkeit +/-1,0°C, Aktive Wasserkühlung, Bond Chucks Kompatibel zum Bond Aligner , Müssen eine Fixierung beinhalten, welche die Wafer in ausgerichteter Position hält, Zur Maximierung der Bondfläche dürfen die Wafer max. an zwei Stellen mittels Klemmen fixiert werden Systemanforderungen: Plasmaaktiverung Stand-alone semi-automatisches Plasmaaktivierungssystem mit manueller Beladung zur Oberflächenaktivierung für Fusionsbonding Anwendung, Kompatibel für Durchmesser 150 mm oder 200mm, Dual Frequency Plasma mit einstellbarer Matching Einheit, Prozessgase N2, O2, Edelgase, Formiergas N2 mit max. 4%H2, 3 Gase Misch Funktionalität über Rezeptsteuerung, Optionale Kammerdruck Kontrolle < ± 5 % bei Setpoint 0.1 to 1.0 mbar mit kontrollierter Evakuierung und Prozessgasfluss ± 1 % zwischen 20 - 100 %, Siliziumbasierte Beschichtung für Metallionenfreiheit nach SOI Standard , Partikelreinheit nach SOI Standard Anlage muss kompatibel zu Gesamtprozess sein

Ziel des Auftrags ist der vollumfängliche Ausgleich des CO2-Fußabdrucks für das Jahr 2023 sowie für das Jahr 2024. Die Stilllegung der Emissionsgutschriften erfolgt dabei zu unterschiedlichen Zeitpunkten.

Stromlieferverträge Land Hessen;

The EU-SADC EPA was signed in 2016 to cover trade in goods between 27 EU member states and six SADC countries. The agreement provides SADC member states with 100% duty-free and quota-free market access into Europe for all originating products, while South Africa has 98.7% market access.

Since the signing of EU-SADC EAP, Lesotho developed a National EPA Implementation Plan (NEIP) to support value chain development, using international standards, strong marketing strategies and trade promotion. The NEIP identifies the need to support training of the relevant stakeholders in the sectors covered under the agreement. However, the country has not taken full advantage of the opportunities offered by the EPAs, and its trade with other SADC member states is very limited. For instance, most of Lesotho"s exports are textile and apparel products, with a large share of them destined for the USA under the African Growth and Opportunity Act (AGOA). Another considerable share of textiles and apparel are exported to South Africa under the SACU. Lesotho"s exports to the EU are almost exclusively dominated by diamonds (DG TRADE).

It is against this background that the EU and the BMZ are supporting a Joint Action; Lesotho Economic Growth, Job Creation and EPA Implementation Support Programme, which is part of the project on Cooperation for Enhancement of SADC Regional Economic Integration (CESARE III). The aim of the Action is two-fold; to support the implementation of SADC EPA in Lesotho and to support regional and international trade through the development of regional value chains in agro-processing and light industry. The duration of the Action is until September 2026,

The overall objective of the project is to foster Lesotho"s inclusive economic development and sustainable regional and international trade. The envisaged outcome is improved access to identified regional value chains, with a focus on two selected value chains in agro-processing (e.g. herbs, spices for medicinal purposes and cosmetics) and light industry (duck and goose feathers for duvets, pillows etc.). The project aims to achieve three outputs namely, 1) Increased capacity of the public and private sector to benefit from the EPA and seize trading opportunities; 2) Stakeholders in Lesotho and other selected SADC countries are capacitated to create an enabling environment for private sector development in selected regional value chains, and 3) Improved capacities of MSMEs to manage selected value chains within the framework of the EPA.